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碳化硅是一種高性能的陶瓷和半導體材料，具有優良的熱力學和電化熱性能。隨著生產成本的降低，第一、二代的半導體正逐步被碳化硅取代。目前，碳化硅是發展最成熟的第三代半導體原料。

因為碳與硅的化學鍵能很大，所以它們初始先形成非晶型碳化硅。但隨著碳化溫度的提高，當溫度達到1500度左右時它們可以轉化成β型碳化硅，當碳化溫度達到2000度以上時，β型碳化硅就可以轉化為生長單晶所需的α晶型碳化硅。所以這種合成的高純碳化硅前驅體可以取代國內普遍采用的固相自蔓延合成法使用的高純碳粉和高純硅粉，它不但降低了碳化硅粉的合成成本，而且由這種前驅體合成出來的高純碳化硅粉生長碳化硅單晶時缺陷少，單晶爐坩堝中的剩余殘渣也會明顯減少。所以它是合成半絕緣型碳化硅晶體最理想的原料，當然它也可以生產導電型碳化硅晶體。

山東源林生產的碳化硅材料外觀呈粉末狀，與目前通用的固相自蔓延合成碳化硅粉比較，具有成本低、純度高（純度高達99.9%）等特點，特別適用于半導體原料及科研實驗，可根據客戶需求定制。

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